A szigetelt kapus bipoláris tranzisztor (Insulated-gate Bipolar Transistor, IGBT) egyetlen chipben egyesíti a MOSFET hatékonyságát a bipoláris tranzisztorok nagyteljesítmény-kezelési képességeivel. Pont ezért a legjobb választás kapcsolási célokra, valamint 600-tól 1 200 V-ig terjedő feszültségek, 150 A-ig terjedő áramerősségek (100 °C-on) és több tíz kHz-es kapcsolási frekvenciák kezeléséhez.
A lineáris feszültségszabályozóknak még mindig helyük van a modern elektronikában. Könnyen kezelhetőek, és csak két további alkatrészt igényelnek: be- és kimeneti kondenzátort.