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VNS1NV04DPTR-E | STMICROELECTRONICS

Transistor MOSFET OMNIFET II N-Ch. 1,7A/40V SO8

N° de commande:	142309

MOQ:	2 pcs
Quantités possibles:	1 pcs (2, 3, 4 ... pcs)
Catégorie :	FETs, MOSFETs
Infos sur le produit:	Sur demande
Fabricant (marque):	STMICROELECTRONICS

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VNS1NV04DPTR-E

Transistor MOSFET OMNIFET II N-Ch. 1,7A/40V SO8

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Fabricant (marque)	STMICROELECTRONICS
Série	VIPower
Polarity	MOSFET N
Vdss (Drain to Source Voltage)	40 V
Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current)	1,7A
Drive Voltage	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm / 0,5A / 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Qg (Total Gate Charge, Max @ Vgs)	-
Vgs (Max)	- V
Pd (Power Dissipation, Max)	4 W
Operating Temperature	-40°C...150°C
Case	SO8
Mounting Type	SMD
Features	-
Remarque	-
MSL	-
RoHS	Oui

Fiche technique:

VNS1NV04DPTR-E.pdf [386,6 kB]

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