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| N.º pedido: | 417719 |
|---|---|
| Disponibilidad | 0 uds. (disponible pronto) |
| Pendiente(s): | (16. may 2025: 450 uds.) |
| Volumen mínimo de pedido: | 1 uds. |
|---|---|
| Cantidades de pedido admitidas: | 1 uds. (1, 2, 3 ... uds.) |
| Unidad de embalaje: | 30 uds. (in tube) |
| Categoría: | Transistores bipolares, puerta aislada (IGBT) |
| Información de producto: | Tipo de almacén |
| Fabricante (marca): | DIOTEC |
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| Volumen mínimo de pedido: | 1 uds. |
|---|---|
| Cantidades de pedido admitidas: | 1 uds. (1, 2, 3 ... uds.) |
| Unidad de embalaje: | 30 uds. (in tube) |
| Categoría: | Transistores bipolares, puerta aislada (IGBT) |
| Información de producto: | Tipo de almacén |
| Fabricante (marca): | DIOTEC |
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Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) combina en un solo chip la eficiencia de un MOSFET con la capacidad de un transistor bipolar para manejar potencias elevadas. Esto lo convierte en la mejor opción para aplicaciones de conmutación, ya que puede soportar tensiones comprendidas entre 600 V y 1200 V, corrientes de hasta 150 A a 100 °C y frecuencias de conmutación de decenas de kHz.
