Ogłoszenie
Aktualnie przeglądasz stronę dla klientów z Polska. Zalecamy przejście na wersję strony Stany Zjednoczone, która jest zoptymalizowana dla Twojej lokalizacji.
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT) łączy wydajność tranzystora MOSFET z wysoką mocą tranzystora bipolarnego na jednym chipie. Stanowi zatem najlepszy wybór w przypadku zastosowań wiązanych z przełączaniem, obsługujących napięcia od 600 V do 1200 V, prąd o natężeniu do 150 A w temperaturze 100°C i częstotliwości przełączania w dziesiątkach kHz.
Liniowe stabilizatory napięcia wciąż znajdują zastosowanie w nowoczesnej elektronice. Są one łatwe w użyciu i wymagają podłączenia tylko dwóch dodatkowych elementów – kondensatora wejściowego i wyjściowego.