Přehled o změnách termínů dodání a cenách zboží za období 03/2025.
Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem (IGBT) kombinuje MOSFET a výstupní bipolární tranzistor na jednom čipu. IGBT jsou optimální součástky pro spínání napětí v rozsahu 600 až 1200 V, proudů do 150 A při teplotě čipu 100 °C a spínacích frekvencích v desítkách kHz.
Nová generace POL přepínacích regulátorů od společnosti Traco Power přináší nejen vyšší účinnost a stabilní výkon, ale především snížení nákladů na materiál a výrobu vašich zařízení.