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IRF 640 PBF VISHAY IR

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IRF 640 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET N-Kanal 18A/200V TO220

Best. Nr.: 32783
Lagerbestand 29 Stck.
Mindestbestellmenge: 3 Stck.
Bestelleinheiten: 1 Stck. (3, 4, 5 ... Stck.)
Packeinheit: 50 Stck. (in tube)
Kategorie: FETs, MOSFETs
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Hersteller: VISHAY IR
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IRF 640 PBF
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Technische Daten/Parameter

Hersteller
Serie
Polarity
Vdss (Drain to Source Voltage)
Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current)
Drive Voltage
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs(th) (Max) @ Id
Qg (Total Gate Charge, Max @ Vgs)
Vgs (Max)
Pd (Power Dissipation, Max)
Operating Temperature
Case
Mounting Type
Features
Bemerkung
MSL
RoHS

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