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Un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais insulated-gate bipolar transistor) associe sur une seule et même puce l’efficacité d’un transistor MOSFET et la gestion haute puissance d’un transistor bipolaire. Il est parfait pour les applications de commutation, puisqu’il gère des tensions de 600 à 1 200 V, des courants jusqu’à 150 A à 100 °C et des fréquences de commutation de l’ordre de plusieurs dizaines de kHz.