Illustrationsbild, schauen Sie sich bitte die technische Spezifikation unter Warendetails.
| Best. Nr.: | 29683 |
|---|
| Mindestbestellmenge: | 500 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 500 Stck. (500, 1000, 1500 ... Stck.) |
| Kategorie: | Bipolartransistoren |
| Produktinformation: | Auf Anfrage |
| Hersteller: | VARIOUS |
| Alternative Produkte: | Zeigen |
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| Mindestbestellmenge: | 500 Stck. |
|---|---|
| Bestelleinheiten: | 500 Stck. (500, 1000, 1500 ... Stck.) |
| Kategorie: | Bipolartransistoren |
| Produktinformation: | Auf Anfrage |
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Transistor NPN 0,1A/65V 0,5W TO92 Formed Leads P2,54mm
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) kombiniert die Effizienz eines MOSFET-Transistors mit der hohen Leistungsaufnahme eines Bipolartransistors auf einem einzigen Chip. Dank dieser Eigenschaften ist er die erste Wahl für Schaltanwendungen, da er mit Spannungen von 600 V bis 1 200 V, Strömen bis zu 150 A bei 100 °C und Schaltfrequenzen im zweistelligen kHz-Bereich arbeiten kann.
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