Obrazek jedynie do celów podglądowych. Produkt może się różnić od przedstawionego na obrazku. Zobacz szczegółową specyfikację techniczną produktu
Nr artykułu: | 9185 |
---|
Kategoria: | Chemia elektroniczna |
---|---|
Informacje o produkcie: | Niedostępny |
Producent: | VARIOUS |
Alternatywne komponenty: | Pokaż |
Alternatywne komponenty: KONTAKT 40 400ml (30821-AD) KONTAKT 40 200ml (79009-AG) VASELINE 701 200ml = KONTAKT 701 KONTAKT 61 400ml (70513-AA) KONTAKT 61 200ml (70509-AH) KONTAKT GOLD 2000 200ml (82509-AA) KONTAKT WL 400ml (71013-AF) KONTAKT WL 200ml (71009-AH) KONTAKT 60 400ml (70013-AG) KONTAKT 60 200ml (70009-AH)
Kategoria: | Chemia elektroniczna |
---|---|
Informacje o produkcie: | Niedostępny |
Producent: | VARIOUS |
Alternatywne komponenty: | Pokaż |
Alternatywne komponenty: KONTAKT 40 400ml (30821-AD) KONTAKT 40 200ml (79009-AG) VASELINE 701 200ml = KONTAKT 701 KONTAKT 61 400ml (70513-AA) KONTAKT 61 200ml (70509-AH) KONTAKT GOLD 2000 200ml (82509-AA) KONTAKT WL 400ml (71013-AF) KONTAKT WL 200ml (71009-AH) KONTAKT 60 400ml (70013-AG) KONTAKT 60 200ml (70009-AH)
Spray ochronę i rozprowadź
Spray do ochrony i smarowania
Spray ochronę i rozprowadź
Spray do ochrony i smarowania
Spray do ochrony i smarowania
Spray ochronę i rozprowadź
Środek do czyszczenia styków elektrycznych
Środek do czyszczenia styków elektrycznych
Spray do czyszczenia kontaktów
Środek do czyszczenia styków elektrycznych
Bluetooth (BT) to popularny standard bezprzewodowej transmisji danych krótkiego zasięgu, szczególnie w środowiskach domowych i biurowych. Nowo wydana wersja 6.0, wprowadzona we wrześniu 2024 roku, zawiera kilka istotnych ulepszeń, które znacznie poprawiają komfort użytkowania i otwierają nowe możliwości dla podłączonych urządzeń. W niniejszym artykule omówiono kluczowe funkcje BT 6.0, ze szczególnym uwzględnieniem jego możliwości w zakresie świadczenia zaawansowanych usług opartych na lokalizacji.
Przegląd zmian terminów dostaw i cen produktów w 03/2025.
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT) łączy wydajność tranzystora MOSFET z wysoką mocą tranzystora bipolarnego na jednym chipie. Stanowi zatem najlepszy wybór w przypadku zastosowań wiązanych z przełączaniem, obsługujących napięcia od 600 V do 1200 V, prąd o natężeniu do 150 A w temperaturze 100°C i częstotliwości przełączania w dziesiątkach kHz.