STMicroelectronics uviedol na trh rodinu 600V IGBT, ktorá patrí medzi ultra rýchle IGBT tranzistory s označením W. Tieto tranzistory sú založené na osvedčenej technológii PowerMESH, ktorá vyniká nízkou energetickou náročnosťou (low turn off energy - Eoff), čo má za následok vysokú pracovnú frekvenciu, až 130kHz.
Toto je archívny článok z 13.12.2006. Niektoré informácie v ňom už nemusia byť aktuálne a v zhode so súčasným stavom. V prípade pochybností Vám radi poskytneme aktuálne informácie.
Vysoký výkon
Tieto 600V IGBT tranzistory sú určené predovšetkým pre spínané zdroje, zváračky a indukčné variče. Technologickými zlepšeniami sa podarilo optimalizovať spínacie napätie a straty pri vypnutí (Eoff) čo má za následok vyššie pracovné frekvencie.
Tieto 600V IGBT tranzistory sú určené predovšetkým pre spínané zdroje, zváračky a indukčné variče. Technologickými zlepšeniami sa podarilo optimalizovať spínacie napätie a straty pri vypnutí (Eoff) čo má za následok vyššie pracovné frekvencie.
Parametre STGW30NC60WD
- VCE(sat) = 1.8V @125°C
- IC = 30A @100°C
- BVCES = 600V
- Current Fall time, tf = 38ns @ 25°C
- Package: TO-247
- Co-packaged damper diode
- Soft and fast recovery anti-parallel diode
V prípade Vášho záujmu o konkrétne informácie ohľadom cien alebo termínov nás kontaktujte. Ponúkame Vám aj technickú pomoc vývojárov STMicroelectronics v Prahe.
Nezmeškajte takéto články!
Páčia sa Vám naše články? Nezmeškajte už ani jeden z nich!
Nemusíte sa o nič starať, my zabezpečíme doručenie až k Vám.