Știi care sunt avantajele modulelor DDR5 SODIMM DRAM de la Apacer?

Comparație între modulele DDR4 și DDR5 SODIMM DRAM de la APACER

Compararea factorului de formă

Lățime de bandă și latența memoriei

Calculul bazat pe ecuații simplificate, Lățimea de bandă = Viteza [MT/s]*8/1000, Latența memoriei[ns] = 2000/Viteza[MT/s] duce la concluzia ca DDR5600 CL46 are o lățime de bandă cu 75% mai mare și o latență cu 19% mai mică decât DDR4 3200 CL22. 

Cu toate acestea, conform testelor realizate de Anandtech, memoria DDR5-4800 CL40 crește latența sistemului la 92,8 ns, comparativ cu 90 ns în cazul DDR4-3200 CL22. Asta înseamnă o latență cu doar ~3% mai mare, diferență vizibilă în benchmarking-ul sintetic, dar practic neobservabilă în majoritatea cazurilor reale de utilizare. Ne putem aștepta la rezultate similare și pentru memoria DDR5 5600 CL46.

Modul DRAM cu capacitate mai mare

În cazul DDR4, densitatea maximă a memoriei este de 16 GB per cip, deci, în cazul a 16 cipuri, asta înseamnă 256 Gbit sau un total de 32 GB. DDR5, pe de altă parte, are 64 GB per cip, ceea ce înseamnă 1024 Gbit sau un total de 128 GB – o capacitate de 4X mai mare decât DDR4.

On-chip ECC

Celulele de memorie mai mici, necesare pentru o capacitate mai mare, împreună cu frecvența mai mare a ceasului, cresc probabilitatea erorilor de un singur bit pe cipul DRAM. Cipul DDR5 DRAM calculează ECC-ul pentru datele scrise și stochează ECC-ul pe același cip. Într-o operațiune de citire DRAM, cipul citește datele curente și ECC-ul, și poate corecta orice eroare de un singur bit pe oricare dintre biții de citire. 

Modulul de memorie clasic SODIMM DDR5 ECC utilizează un cip suplimentar în care sunt stocate ECC-ul și două canale de 36 de biți (32 de biți pentru date + 4 biți pentru ECC). Controlerul de memorie calculează ECC-ul pentru datele care urmează să fie scrise și apoi scrie datele și ECC-ul în modulul de memorie. În timpul unei operațiuni de citire, controlerul citește datele și ECC-ul și generează ECC-ul pentru datele citite. Dacă ECC-ul calculat și cel încărcat sunt aceleași, datele sunt trimise către CPU, iar în caz contrar datele sunt trimise către programul de corecție a erorilor. Astfel, datele sunt complet protejate pe traseul dintre controlerul de memorie și cipul de memorie.

Eficiență îmbunătățită a accesului la memorie

Arhitectura canalelor

Cele două canale independente de 32 de biți permit o mai bună optimizare a accesului la memorie.

2x durata burst-ului, 2 canale independente de 32 de biți

Durata burst-ului de 16 (BL16) permite unui singur burst să acceseze 64 de octeți de date, o dimensiune tipică de linie a buffer-ului CPU, de la un singur canal al unui modul DDR5 DRAM. Acest lucru înseamnă că un modul DDR5 5600 DRAM poate efectua șapte operațiuni de 64 octeți în aceeași perioadă de timp necesară unui modul DDR4 3200 pentru a efectua patru operațiuni.

2x numărul de bancuri

DDR5 dublează numărul de grupuri de bancuri la 8, păstrând același număr de bancuri per grup, mai exact 4. Accesul la diferite grupuri de bancuri este mai rapid față de accesul la bancurile din cadrul aceluiași grup de bancuri.

Reîmprospătarea aceluiași banc

În DDR4, toate bancurile de memorie trebuie să fie reîmprospătate simultan, chiar dacă doar unul dintre cele 16 bancuri de memorie de pe un DIMM necesită reîmprospătare, astfel încât CPU-ul trebuie să aștepte finalizarea reîmprospătării și nu poate accesa memoria. În DDR5, caracteristica „reîmprospătarea aceluiași banc“ permite reîmprospătarea unui singur banc din grup, în loc de a reîmprospăta toate bancurile. Acest lucru înseamnă că trei bancuri din patru rămân disponibile pentru CPU.

Modulele de memorie DDR5 SODIMM de la Apacer pot fi găsite în gama noastră ca produse de stoc, disponibile imediat pentru proiectele tale.