Apacer SLC-Lite - mai rentabil decât SLC şi mai fiabil decât MLC

Principiul memoriei Flash

Celula de bază a memoriei flash este poarta flotantă a unui tranzistor MOS (FGMOS).

Celula ștearsǎ nu are sarcina (electroni) stocatǎ în poartǎ și pragul de tensiune al tranzistorului este Vt1. Sarcina este transferatǎ în poartǎ în timpul programǎrii și crește pragul de tensiune la Vt0. În timpul operației de citire tensiunea Vref este conectatǎ la poartǎ și curentul dintre drena și sursa tranzistorului este evaluat. Celula este programată dacă acest curent este mai mic decât pragul prestabilit. Această stare corespunde cu nivelul logic 0 (L). Ȋn caz contrar este evaluată ca nivel logic 1 (H). Operațiunea de ștergere elimină ȋncǎrcarea de la poartǎ iar pragul de tensiune se întoarce în cazul ideal la valoarea Vt1.

În practicǎ în timpul programării nu este întotdeauna stocatǎ aceeași sarcinǎ în poartǎ, după operația de ștergere unele sarcini pot rămâne stocate în poartǎ iar operația de citire poate perturba sarcinile stocate în celulele adiacente. Pragul diferenței de tensiune scade după fiecare ciclu de programare / ștergere (P / E) ajungând în cele din urmă până la valoarea când nu mai este posibil să se facă distincția dintre situația de programare și ștergere. Din acest motiv, fiecare celulǎ de memorie Flash are un număr limitat de cicluri de programare și ștergere (P / E). Când dimensiunile celulei scad, numărul de cicluri P / E scade de asemenea. Memorie Flash SLC (celulǎ nivel-unic) Celula de memorie Flash SLC stocheazǎ 1 bit. Celula este ștearsǎ daca Vt aparține zonei 1, dacǎ este localizatǎ ȋn interiorul zonei 0 atunci celula este programatǎ.

Memorie Flash MLC (celulǎ multi-nivel) Memoria Flash MLC stocheazǎ 2 biți. Dacă Vt aparține zonei 11 - celula este complet ștearsǎ, 01 - parțial ștearsǎ, 00 - parțial programatǎ și 10 - complet programatǎ. Circuitul de programare trebuie să stocheze patru sarcini diferite în poartǎ. Pentru a realiza această distribuție precisă a sarcinii este necesar un algoritm de programare mai sofisticat și consumator de timp. Ca urmare, timpul de programare pentru memoria Flash MLC este de până la de 4 ori mai lent decât pentru memoria Flash SLC. Citirea este de asemenea, mai lentǎ. Pragul diferenței de tensiune este de asemenea mai mic decât cel pentru memoria Flash SLC, scăzând drastic numărul de cicluri P / E.

SLC-Lite
Tehnologia SLC-Lite este bazatǎ pe MLC Flash, dar firmware-ul este schimbat, astfel încât să foloseascǎ numai stǎrile 11 și 10 (pragul maxim al diferenței de tensiune)

Comparație ȋntre SLC, SLC-lite și MLC Flash (bazatǎ pe cipuri de memorie Flash de la Toshiba)

Avem ȋn stocul nostru primele mostre de carduri de memorie Apacer cu capacitate de 4GB și 8GB. Dacǎ sunteți interesați vǎ rugǎm sǎ ne contactați lasales@soselectronic.com.