OBSERVAȚIE: Furnizăm produse ADATA și oferim suport în următoarele piețe: Slovacia, Republica Cehă și Ungaria. Dacă dorești mai multe informații, nu ezita să ne contactezi. Suntem gata să te ajutăm.
Celule de memorie flash cu tranzistori MOSFET cu tehnologie Charge Trap
Celulele de memorie 3D NAND flash folosesc un tranzistor MOSFET cu tehnologia charge trap („capcană de încărcare”). Acest layer stochează electroni care trec printr-un izolator (strat de oxid tunel) prin tunelare cuantică, conform celor descrise în teoria Fowler-Nordheim. Cu cât există mai mulți electroni stocați în acest strat, cu atât tensiunea de prag pentru deschiderea tranzistorilor MOSFET trece către valori pozitive.
Dat fiind faptul că nu este întotdeauna posibilă stocarea aceluiași număr de electroni în capcana de încărcare, tensiunea de prag va varia, această variație fiind definită statistic prin densitatea de probabilitate.
Cipul de memorie flash BiCS5 în sine conține 112 straturi și poate avea până la 40.000 de „U-strings” pe direcție x și 25.000 de „U-strings” pe direcție y.
Să înțelegem conceptul de A+ SLC
O celulă de memorie flash poate fi ștearsă (niciun electron în capcana de încărcare) sau programată (câțiva electroni în capcana de încărcare). Algoritmul A+ SLC stochează un „număr mai redus de electroni decât numărul maxim posibil” în capcana de încărcare. Acest lucru permite utilizarea unui puls de programare/ștergere mai scurt, ceea ce reduce deteriorarea celulelor de memorie în timpul procesului de scriere/ștergere.
Caracteristicile și specificațiile cardurilor de memorie microSD A⁺ SLC ADATA:
- Conforme cu specificațiile SD 6.1
- 100K de cicluri P/E
- Plaja temperaturii ambientale de lucru: -40 °C la 85 °C
- Îndeplinește standardul V30 (clasa de viteză video)
- Îndeplinește standardul A2 (clasa de performanță în aplicații) standard, citire aleatorie IOPS (4K) > 4 000, scriere aleatorie IOPS (4K) > 2 000
- Echilibrare globală a uzurii, proces de curățare de tip „garbage collection”, sistem „bad block management”, low-density parity-check code (LDPC) ECC și SMART
Citire secvențială: 94 MB/s, scriere secvențială: 81 MB/s (testat prin Crystal Disk Mark 5.1.2.)
Rezistență sub sarcină conform JESD219, sarcină client
- 16GB: 920 TB
- 32GB: 1840 TB
- 64GB: 3680 TB
Acum haideți să aruncăm un ochi la rezultatele de rezistență și modul în care acestea reflectă performanța firmware-ului A+ SLC.
Pentru carduri de memorie microSD, valoarea rezultantă de 1,74 TB scriși este cu adevărat impresionantă.
MicroSD-ul suportă SMART și poți citi atribute SMART folosind comanda CMD56. MicroSD-urile beneficiază de o garanție pe 3 ani.
O selecție de carduri de memorie microSD IUD33K ADATA fac acum parte din stocul nostru și sunt imediat disponibile pentru proiectele tale. Alte modele sunt, de asemenea, disponibile la cerere, în condiții favorabile.
Feedback-ul tău ne ajută să creăm conținut cu adevărat util pentru cititorii noștri. Evaluează informațiile de mai sus printr-o contribuție imaginară dedicată acestui articol.
Dacă ai orice întrebări sau comentarii, nu ezita să ne contactezi. Îți mulțumim încă o dată pentru timp și încredere.
Ești interesat să afli mai multe despre produsele ADATA sau ai nevoie de sfaturi tehnice la alegerea unui produs adecvat? Sau poate că ai alte întrebări sau solicitări? Contactează-ne, iar noi te vom ajuta cu plăcere.
Vă plac articolele noastre? Dacă da, atunci nu ratați nici unul! Nu trebuie să vă faceți griji în privința modului de livrare. Ne vom ocupa noi de tot pentru dvs.
