Czy znasz zalety modułów pamięci DDR5 SODIMM DRAM marki Apacer?

Porównanie modułów DDR4 i DDR5 SODIMM DRAM firmy APACER

Porównanie formatu

Przepustowość i opóźnienie pamięci

Obliczenia oparte na uproszczonych równaniach, gdzie przepustowość = prędkość [MT/s]*8/1000, opóźnienie pamięci [ns] = 2000/prędkość [MT/s] prowadzą do wniosku, że rozwiązanie DDR5600 CL46 ma o 75% większą przepustowość i o 19% gorsze opóźnienie niż DDR4 3200 CL22. 

Jednak według testów przeprowadzonych przez serwis Anandtech pamięć DDR5-4800 CL40 zwiększa opóźnienie systemu do 92,8 ns w porównaniu do 90 ns w przypadku pamięci DDR4-3200 CL22. To zaledwie ~3% więcej, co jest widoczne w syntetycznych testach porównawczych, ale praktycznie niezauważalne w większości rzeczywistych przypadków użycia. Podobnych wyników można spodziewać się również w przypadku pamięci DDR5 5600 CL46.

Większa pojemność modułów DRAM

Maksymalna gęstość pamięci DDR4 wynosi 16 Gb na chip, więc przy 16 chipach przekłada się to na 256 Gbit lub łącznie 32 GB. Dla porównania, w przypadku DDR5 parametr ten wynosi 64 Gb na chip, co przekłada się na 1024 Gbit lub łącznie 128 GB – 4-krotnie większą pojemność niż dla DDR4.

Wbudowana funkcja korekcji ECC

Mniejsze komórki pamięci, wymagane dla większej pojemności, wraz z wyższą częstotliwością taktowania zwiększają prawdopodobieństwo wystąpienia błędów jednobitowych w układzie DRAM. Układ pamięci DDR5 DRAM oblicza parametr ECC dla zapisywanych danych i przechowuje ECC na tym samym układzie. W operacji odczytu DRAM, układ odczytuje bieżące dane oraz ECC i może skorygować dowolny błąd jednobitowy na dowolnym z odczytanych bitów danych. 

Klasyczny moduł pamięci SODIMM DDR5 ECC wykorzystuje dodatkowy chip, w którym przechowywane są wartości korekcji błędów ECC i dwa 36-bitowe kanały (32-bity dla danych + 4-bity dla ECC). Kontroler pamięci oblicza parametr ECC dla zapisywanych danych, a następnie zapisuje dane i ECC w module pamięci. Podczas operacji odczytu kontroler odczytuje dane i ECC oraz generuje ECC dla odczytanych danych. Jeśli obliczone i załadowane wartości ECC są takie same, dane są wysyłane do procesora CPU, w przeciwnym razie dane są wysyłane do programu korekcji błędów. W ten sposób dane są chronione na całej drodze między kontrolerem pamięci a układem pamięci.

Lepszy dostęp do pamięci

Architektura kanałów

Dwa niezależne kanały 32-bitowe pozwalają na optymalizację dostępu do pamięci.

Podwojona długość pakietu, 2 niezależne kanały 32-bitowe

Długość pakietu równa 16 (BL16) pozwala pojedynczemu pakietowi uzyskać dostęp do 64 bajtów danych, typowego rozmiaru linii bufora CPU, z pojedynczego kanału modułu DDR5 DRAM. Oznacza to, że moduł DDR5 5600 DRAM może wykonać siedem operacji 64-bajtowychw tym samym czasie, w którym moduł DDR4 3200 wykonuje cztery operacje.

Dwukrotnie większa liczba banków

DDR5 podwaja liczbę grup banków do 8, utrzymując liczbę banków na grupę banków na tym samym poziomie – 4. Dostęp do różnych grup banków jest szybszy w porównaniu z dostępem do banków w ramach tej samej grupy banków.

Odświeżanie tego samego banku

W DDR4 wszystkie banki pamięci muszą być odświeżane jednocześnie, nawet jeśli tylko jeden z 16 banków pamięci na module DIMM wymaga odświeżenia, więc procesor musi czekać na zakończenie odświeżania i nie może uzyskać dostępu do pamięci. W przypadku DDR5 funkcja „odświeżania tego samego banku” umożliwia odświeżanie jednego banku w grupie zamiast wszystkich banków. Oznacza to, że trzy z czterech banków pozostają dostępne dla procesora.

Moduły pamięci DDR5 SODIMM firmy Apacer można znaleźć w naszym asortymencie jako produkty magazynowe oferowane od ręki.