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| N.º pedido: | 25328 |
|---|---|
| Disponibilidad | 3242 uds. en stock |
| Volumen mínimo de pedido: | 20 uds. |
|---|---|
| Cantidades de pedido admitidas: | 1 uds. (20, 21, 22 ... uds.) |
| Categoría: | Regletas de pines |
| Información de producto: | Tipo de almacén |
| Fabricante (marca): | VARIOUS |
| Componentes relacionados: | Mostrar |
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Female Header 1x20P P2,54mm H8,5mm THT Gold-plated, Triple Contact, High Temp.
Female Header 1x20P P2,54mm H10,1mm THT Gold-plated, R/A, High Temp.
Female Header 1x20P P2,54mm H8,5mm THT Gold-plated, High Temp.
Connector AMPMODU HV-190 Socket F 20P P2,54mm THT 90° Gold-plated
Female Header BL18 1x20P P2,54mm THT Au-plated
Female Header DS1023 1x20P P2,54mm THT Gold-plated
Female Header 6604S 1x20P P2,54mm THT Gold-plated
Female Header BL3 1x20P P2,54mm THT 90° Gold-plated
Female Header 115 1x20P P2,54mm THT Gold-plated
Female Header BL1 1x20P P2,54mm THT Gold-plated
Bluetooth (BT) es un popular estándar inalámbrico para la transmisión de datos de corto alcance, especialmente en entornos domésticos y de oficina. La recién estrenada versión 6.0, lanzada en septiembre de 2024, introduce potentes avances que mejoran significativamente la experiencia del usuario y abren nuevas posibilidades para los dispositivos conectados. Este artículo explora las características clave de BT 6.0, con especial hincapié en sus capacidades para habilitar servicios avanzados basados en la ubicación.
Resumen de cambios en fechas de entrega y precios de productos en 03/2025.
Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) combina en un solo chip la eficiencia de un MOSFET con la capacidad de un transistor bipolar para manejar potencias elevadas. Esto lo convierte en la mejor opción para aplicaciones de conmutación, ya que puede soportar tensiones comprendidas entre 600 V y 1200 V, corrientes de hasta 150 A a 100 °C y frecuencias de conmutación de decenas de kHz.
