Cypress F-RAM offre 100 trilioni (1014) di cicli di lettura/scrittura.
L’EEPROM ha in genere una durata inferiore a 1 milione (106) di cicli.
L’ F-RAM è di gran lunga superiore all’EEPROM sia in termini di velocità di scrittura che di consumo energetico. L’F-RAM scrive i dati alla massima velocità dell’interfaccia, fino a 40 MHz per SPI, senza ritardi di scrittura e i dati sono istantaneamente non volatili. L’EEPROM presenta generalmente un ritardo di 5 ms prima che i dati diventino non volatili.
Per una tipica EEPROM seriale SPI a 64 KB con una velocità di trasferimento di 20 MHz, occorrerebbero 5 ms per scrivere 256 bit (buffer di pagina a 32 byte) e 1283,6 ms per scrivere 64 Kb. Con una F-RAM equivalente, sono necessari solo 14 µs per 256 bit e solo 3,25 ms per scrivere 64Kb. Inoltre, scrivere 64Kb nell’EEPROM richiede 3900 µJ, scrivere 64Kb nella F-RAM richiede solo 17 µJ - una differenza di oltre 229 volte.
Le F-RAM seriali sono pin compatibili con le EEPROM seriali.
Per ulteriori informazioni sui prodotti Cypress, non esitare a contattarci all’indirizzo sales@soselectronic.com
The world´s most energy-efficient serial nonvolatile RAM with fast write speed and high endurance. Cypress is the trusted leader for instant data capture and protection.
Ti piacciono i nostri articoli? Non perderne nemmeno uno! Non devi preoccuparti di nulla, organizzeremo la consegna per te.
