Adata spinge il conteggio dei cicli P/E delle microSD a 100.000

NOTA: Forniamo prodotti ADATA e forniamo assistenza nei seguenti mercati: Slovacchia, Repubblica Ceca e Ungheria. Se desideri maggiori informazioni, non esitare a contattarci. Siamo pronti ad assisterti.

Celle di memoria flash con MOSFET a trappola di carica

Le celle di memoria flash NAND 3D utilizzano un MOSFET a trappola di carica. Questo strato immagazzina gli elettroni che passano attraverso un isolante (strato di ossido di tunnel) tramite tunneling quantistico, come descritto dalla teoria di Fowler-Nordheim. Quanti più elettroni sono immagazzinati in questo strato, tanto più la tensione di soglia per l’apertura del MOSFET si sposta verso valori positivi.

Poiché non è sempre possibile immagazzinare lo stesso numero di elettroni nella trappola di carica, la tensione di soglia varierà statisticamente a seconda della densità di probabilità.

L’attuale chip di memoria flash BiCS5 contiene 112 strati e può avere fino a 40.000 “stringhe-U” in direzione x e 25.000 “stringhe-U” in direzione y.

Comprendere A+ SLC 

Una cella di memoria flash può essere cancellata (senza elettroni nella trappola di carica) o programmata (con alcuni elettroni nella trappola di carica). L’algoritmo A+ SLC memorizza un “numero di elettroni inferiore rispetto al massimo possibile” nella trappola di carica. Ciò consente di utilizzare un impulso di programmazione/cancellazione più breve, che riduce i danni alle celle di memoria durante la scrittura/cancellazione.

Caratteristiche e specifiche delle schede di memoria microSD ADATA A⁺ SLC:

• conformità alle specifiche SD 6.1;
• 100K cicli P/E;
• intervallo di temperature ambientali di lavoro: da -40 °C a 85 °C;
• soddisfa gli standard V30 (Video Speed Class);
• soddisfa lo standard A2 (Application Performance Class), (4K) > 4 000 IOPS in lettura casuale, (4K) > 2 000 IOPS in scrittura casuale;
• livellamento globale dell’usura, raccolta dei dati inutili, gestione dei blocchi danneggiati, ECC con codice di parità a bassa densità (LDPC) e SMART.

Lettura sequenziale: 94 MB/s, scrittura sequenziale: 81 MB/s (testata da Crystal Disk Mark 5.1.2.)

Resistenza sotto carico secondo JESD219, carico di lavoro del cliente.

• 16 GB: 920 TB;
• 32GB: 1840 TB;
• 64GB: 3680 TB.

Ora diamo un’occhiata più da vicino ai risultati di resistenza e a come riflettono le prestazioni del firmware A+ SLC.

Per le schede di memoria microSD, il valore risultante di 1,74 TB di dati scritti è davvero notevole.

Le microSD supportano SMART ed è possibile leggere gli attributi SMART utilizzando il comando CMD56. Le microSD sono coperte da una garanzia di 3 anni.

Le schede di memoria microSD ADATA IUD33K selezionate fanno ora parte del nostro assortimento e sono pronte per essere utilizzate nei tuoi progetti. Su richiesta sono disponibili anche altri modelli a condizioni vantaggiose.