L'image sert uniquement d’exemple. Veuillez consulter les spécifications techniques dans la description détaillée du produit.
| N° de commande: | 63240 |
|---|
| MOQ: | 1 pcs |
|---|---|
| Quantités possibles: | 1 pcs (1, 2, 3 ... pcs) |
| Catégorie : | Autres appareils électroniques |
| Infos sur le produit: | Sur demande |
| Fabricant (marque): | VARIOUS |
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| MOQ: | 1 pcs |
|---|---|
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Set minizosilňovača ESA-18 s reproduktormi je určený pre pripojenie na sieťové napätie 230V / 50Hz len v uzavretých priestoroch. K dispozicii sú v dvoch farbách: čiernej a sivej.Technické parametre zosilňovača:•2 audio vstupy, 1 vstup na mikrofón a 1 výstup na nahrávanie,•oddelená regulácia hlbokých a vysokých tónov,•regulácia digitálnej ozveny,•loudness,•kroková regulácia hlastitosti. Maximálny výkon2 x 20 W / 4 Frekvenčný rozsah20-20 000 HzSkreslenie< 0.1%Odstup signál / šum> 88dBVstupná citlivosť1 kHz max. 750 mVNapájacie napätie230 VAC, 50/60 HzRozmery220x180x50mm
Bluetooth (BT) est une norme fréquemment utilisée pour la transmission radio de données à courte distance, en particulier dans les environnements domestiques et professionnels. Lancée en septembre 2024, cette nouvelle version introduit plusieurs modifications puissantes, qui améliorent considérablement l’expérience utilisateur et créent de nouvelles possibilités d’utilisation d’appareils connectés. Cet article vous révèle les principales caractéristiques de Bluetooth 6.0, notamment ses capacités d’utilisation de services de géolocalisation avancés.
Aperçu des modifications apportées aux dates de livraison et prix des produits en 03/2025.
Un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais insulated-gate bipolar transistor) associe sur une seule et même puce l’efficacité d’un transistor MOSFET et la gestion haute puissance d’un transistor bipolaire. Il est parfait pour les applications de commutation, puisqu’il gère des tensions de 600 à 1 200 V, des courants jusqu’à 150 A à 100 °C et des fréquences de commutation de l’ordre de plusieurs dizaines de kHz.
