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SI 2301 BDS-T1-E3 | VISHAY SILICONIX

Transistor MOSFET P-Ch. -2,4A/-20V SOT23

N° de commande:	73693

MOQ:	3000 pcs
Quantités possibles:	3000 pcs (3000, 6000, 9000 ... pcs)
Colis:	3000 pcs (bande et bobine)
Catégorie :	FETs, MOSFETs
Infos sur le produit:	Sur demande
	EOL - End of Life
Fabricant (marque):	VISHAY SILICONIX

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Document

13.08.2024

21.01.2025

PDN

106599_SPCN.pdf [118,2 kB]

Fabricant (marque)	VISHAY SILICONIX
Série	TrenchFET
Polarity	MOSFET P
Vdss (Drain to Source Voltage)	-20 V
Id @ Tc=25°C (Continuous Drain Current)	2,4A
Drive Voltage	2.5V , 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm / -2A / -2,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Qg (Total Gate Charge, Max @ Vgs)	10nC @ 4.5V
Vgs (Max)	-8 V
Pd (Power Dissipation, Max)	0,9 W
Operating Temperature	-55°C...150°C
Case	SOT23
Mounting Type	SMD
Features	-
Remarque	-
MSL	-
RoHS	Oui

Fiche technique:

SI2301BDS-T1-E3.pdf [90,9 kB]

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