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Cellules de mémoire flash utilisant un transistor MOSFET avec une couche de piégeage de charges
Les cellules de mémoire flash NAND 3D utilisent un transistor MOSFET avec une couche de piégeage de charges. Cette couche stocke les électrons qui traversent une couche d’oxyde isolante par effet tunnel quantique - selon la théorie d’émission de champ de Fowler-Nordheim. Plus les électrons stockés dans cette couche sont nombreux, plus la tension de seuil nécessaire à l’ouverture du MOSFET se déplace vers des valeurs positives.
Comme il n’est pas toujours possible de stocker le même nombre d’électrons dans le piège de charges, la tension de seuil varie - cette variation est statistiquement définie par la densité de probabilités.
La puce mémoire flash BiCS5 contient 112 couches et peut comporter jusqu’à 40 000 chaînes de caractères « U-strings » dans l’axe x et 25 000 dans l’axe y.
Comprendre le principe de la carte micro SD A+ SLC
Une cellule de mémoire flash peut être soit effacée (sans électrons dans le piège de charges), soit programmée (avec quelques électrons dans le piège de charges). L’algorithme de la carte micro SD A+ SLC stocke un « nombre d’électrons inférieur au maximum possible » dans le piège de charges. Cela permet d’utiliser une impulsion de programmation/effacement plus courte, ce qui réduit les dommages des cellules de mémoire durant l’écriture/l’effacement.
Caractéristiques et spécifications des cartes mémoire micro SD ADATA A⁺ SLC
- Conformité à la spécification SD 6.1
- 100 000 cycles P/E
- Températures ambiantes de fonctionnement : de - 40 °C à + 85 °C
- Conformité à la norme V30 (Video Speed Class 30)
- Conformité à la norme A2 (Application Performance Class A2), lecture aléatoire de 4 000 IOPS (> à la vitesse minimale de 4 000 IOPS de la norme), écriture aléatoire de 4 000 IOPS (> à la vitesse minimale de 2 000 IOPS de la norme)
- Nivellement global de l’usure, collecte des déchets, gestion des blocs défectueux, code de correction d’erreur LDPC (Low Density Parity Check ou contrôle de parité à faible densité) et technologie SMART
Lecture séquentielle : 94 Mo/s, écriture séquentielle : 81 Mo/s (test effectué par le logiciel Crystal Disk Mark 5.1.2.)
Endurance sous charge selon la norme JESD219, charge de travail côté client
- 16 Go : 920 To
- 32 Go : 1 840 To
- 64 Go : 3 680 To
Examinons maintenant de plus près les résultats d’endurance et la manière dont ils reflètent les performances du micrologiciel de la carte micro SD A+ SLC.
Pour les cartes mémoire micro SD, la valeur de 1,74 To en écriture est vraiment impressionnante.
Les cartes micro SD prennent en charge la technologie SMART et vous pouvez lire les attributs SMART via la commande CMD56. Les cartes micro SD sont couvertes par une garantie de 3 ans.
Certaines cartes mémoire micro SD ADATA IUD33K font désormais partie de notre assortiment et sont immédiatement disponibles en stock pour vos projets. D’autres modèles sont également disponibles sur demande à des conditions avantageuses.
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