L'image sert uniquement d’exemple. Veuillez consulter les spécifications techniques dans la description détaillée du produit.
N° de commande: | 398239 |
---|---|
Disponibilité | 1 pcs en stock |
MOQ: | 1 pcs |
---|---|
Quantités possibles: | 1 pcs (1, 2, 3 ... pcs) |
Catégorie : | Cartes de fabricants pour développement, essais ou apprentis |
Infos sur le produit: | En vente à prix réduit |
Fabricant (marque): | YAHBOOM |
Produits connexes/complémentaires: | Afficher |
MOQ: | 1 pcs |
---|---|
Quantités possibles: | 1 pcs (1, 2, 3 ... pcs) |
Catégorie : | Cartes de fabricants pour développement, essais ou apprentis |
Infos sur le produit: | En vente à prix réduit |
Fabricant (marque): | YAHBOOM |
Produits connexes/complémentaires: | Afficher |
Les prix s’entendent HT. Les prix des articles qui ne sont pas en stock peuvent être différents de ceux qui sont indiqués. Seuls les prix des articles disponibles en stock sont garantis.
Intelligent Voice Speech Recognition Module
Cartes de fabricants pour développement, essais ou apprentis
CSK4002 Based Voice Recognition Module
+ de 1 pcs 28,82 €
Cartes de fabricants pour développement, essais ou apprentis
STM32F103RCT6 Control Board with OLED Display
+ de 1 pcs 75,64 €
Bluetooth (BT) est une norme fréquemment utilisée pour la transmission radio de données à courte distance, en particulier dans les environnements domestiques et professionnels. Lancée en septembre 2024, cette nouvelle version introduit plusieurs modifications puissantes, qui améliorent considérablement l’expérience utilisateur et créent de nouvelles possibilités d’utilisation d’appareils connectés. Cet article vous révèle les principales caractéristiques de Bluetooth 6.0, notamment ses capacités d’utilisation de services de géolocalisation avancés.
Aperçu des modifications apportées aux dates de livraison et prix des produits en 03/2025.
Un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais insulated-gate bipolar transistor) associe sur une seule et même puce l’efficacité d’un transistor MOSFET et la gestion haute puissance d’un transistor bipolaire. Il est parfait pour les applications de commutation, puisqu’il gère des tensions de 600 à 1 200 V, des courants jusqu’à 150 A à 100 °C et des fréquences de commutation de l’ordre de plusieurs dizaines de kHz.