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Celdas de memoria flash con retención de carga MOSFET
Las celdas de memoria flash 3D NAND utilizan una retención de carga MOSFET. Esta capa almacena electrones que atraviesan un aislante (capa de óxido de túnel) mediante tunelización cuántica, tal y como describe la teoría de Fowler-Nordheim. Cuantos más electrones se almacenan en esta capa, más se desplaza hacia valores positivos la tensión umbral de apertura del MOSFET.Dado que no siempre es posible almacenar el mismo número de electrones en la retención de carga, la tensión umbral varía por un valor que se define estadísticamente mediante la densidad de probabilidad.
El chip de memoria flash BiCS5 actual contiene 112 capas y puede constar de hasta 40 000 «cadenas U» en la dirección X, y 25 000 en la dirección Y.
Cómo entender A+ SLC
Una celda de memoria flash puede borrarse (sin electrones en la retención de carga) o programarse (con algunos electrones en la retención de carga). El algoritmo A+ SLC almacena un «número de electrones inferior al máximo posible» en la retención de carga. De este modo, es posible el uso de un pulso de programación/borrado más breve, lo que reduce los daños que reciben las celdas de memoria durante los procesos de escritura/borrado.
Características y especificaciones de las tarjetas de memoria microSD A⁺ SLC de ADATA:
- Cumplimiento de las especificaciones SD 6.1
- 100 000 ciclos de programación/borrado
- Rango de temperaturas ambiente de trabajo: de -40 °C a 85 °C
- Cumplimiento del estándar V30 (clase de velocidad de vídeo)
- Cumplimiento del estándar A2 (clase de rendimiento para aplicaciones), IOPS de lectura aleatoria (4K) >4000, IOPS de escritura aleatoria (4K) >2000
- Nivelación de desgaste global, recogida de basura, gestión de bloques defectuosos, código de comprobación de paridad de baja densidad (LDPC) ECC y SMART
Lectura secuencial: 94 MB/s; escritura secuencial: 81 MB/s (probado con Crystal Disk Mark 5.1.2.)
Resistencia bajo carga según JESD219, carga de trabajo de cliente
- 16 GB: 920 TB
- 32 GB: 1840 TB
- 64 GB: 3680 TB
Conozcamos ahora con más detalle los resultados de resistencia y cómo reflejan el rendimiento del firmware A+ SLC.
En el caso de las tarjetas de memoria microSD, el valor resultante de 1,74 TB (escritura) es francamente impresionante.
El estándar microSD es compatible con SMART, y es posible la lectura de atributos SMART mediante el comando CMD56. Las tarjetas microSD están cubiertas por una garantía de 3 años.
Las tarjetas de memoria microSD ADATA IUD33K seleccionadas ya forman parte de nuestras existencias y están disponibles para sus proyectos. También disponemos de otros modelos en condiciones favorables, a petición.
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