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Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) combina en un solo chip la eficiencia de un MOSFET con la capacidad de un transistor bipolar para manejar potencias elevadas. Esto lo convierte en la mejor opción para aplicaciones de conmutación, ya que puede soportar tensiones comprendidas entre 600 V y 1200 V, corrientes de hasta 150 A a 100 °C y frecuencias de conmutación de decenas de kHz.
Los nuevos reguladores de conmutación POL de Traco Power ofrecen mucho más que una eficiencia impresionante y un rendimiento fiable. También están diseñados para ayudarle a reducir los costes de material y fabricación.
