Pamięć F-RAM umożliwia wykonanie 100 bilionów (1014) cykli odczytu/zapisu.
Natomiast w przypadku pamięci EEPROM liczba cykli zapisu jest zazwyczaj ograniczona do 1 miliona (106).
Pamięć F-RAM wypada znacznie lepiej w porównaniu z pamięcią EEPROM zarówno pod względem szybkości zapisu, jak i poboru energii. Pamięć ferroelektryczna zapisuje dane z pełną prędkością interfejsu, do 40 MHz dla SPI, bez powstawania jakichkolwiek opóźnień zapisu, a dane natychmiast stają się nieulotne. W przypadku pamięci EEPROM opóźnienie zapisu wynosi ok. 5 ms.
Typowa pamięć szeregowa SPI EEPROM o pojemności 64 kB z częstotliwością taktowania 20 MHz, do zapisania 256 bitów (32-bitowy bufor) potrzebuje około 5 ms; natomiast zapis 64 kB może zająć nawet 1283,6 ms. Pamięć F-RAM wymaga zaledwie 14 µs do zapisania 256 bitów i 3,25 ms do zapisania 64 kB. Dodatkowo, zapis 64 kB w pamięci EEPROM wymaga poboru 3900 µJ, a w pamięci F-RAM – tylko 17 µJ, czyli 229 razy mniej.
Szeregowe pamięci F-RAM są kompatybilne z szeregowymi pamięciami EEPROM.
Więcej informacji na temat produktów Cypress uzyskać można pod adresem info@soselectronic.pl
The world´s most energy-efficient serial nonvolatile RAM with fast write speed and high endurance. Cypress is the trusted leader for instant data capture and protection.
Czy spodobały Ci się nasze artykuły? Nie przegap żadnego! Zajmiemy się wszystkim za Ciebie i chętnie sami Ci je dostarczymy.
