Imaginea este cu titlu informativ. Vă rugăm să consultaţi specificaţiile tehnice în secţiunea, detalii produs.
Imaginea este cu titlu informativ. Vă rugăm să consultaţi specificaţiile tehnice în secţiunea, detalii produs.
Preturile sunt fara TVA. Preţurile pentru componentele care nu se află în stoc, sunt orientative. Vă garantăm preţurile numai pentru produsele care sunt în stoc.
Baretă cu pini mamă 1x08P P2,54mm H8,5mm THT, placare aur, contact triplu, temperatură ridicată
Baretă cu pini mamă 1x08P P2,54mm H10,1mm THT, placare aur, R/A, temperatură ridicată
Baretă cu pini mamă 1x08P P2,54mm H8,5mm THT, placare aur, temperatură ridicată
Baretă pini mamă 1x08P P2,54mm H11,0mm THT Placat cu aur, High temp.
Baretă cu pini mamă HV-190 1x8P P2,54mm THT 90° placată cu aur
Baretă cu pini mamă AMPMODU Mod II 1x8P P2,54mm THT 90° placată cu aur
Baretă pini mamă BL1 1x8P P2,54mm THT Placat cu aur
Bluetooth (BT) este un standard wireless popular pentru transmisia de date pe rază scurtă de acțiune, în special în mediile domestice și de birou. Noua versiune 6.0, lansată în septembrie 2024, introduce mai multe îmbunătățiri importante, care îmbunătățesc semnificativ experiența utilizatorului și deschid noi posibilități pentru dispozitivele conectate. Acest articol explorează caracteristicile cheie ale BT 6.0, cu un accent special pe capacitățile sale susține serviciile avansate bazate pe locație.
Prezentarea generală a modificărilor privind datele de livrare și prețurile produselor în 03/2025.
Un tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT) combină eficiența unui MOSFET cu înalta capacitate de gestionare a puterii a unui tranzistor bipolar, totul într-un singur cip. Acest lucru îl face o alegere de top pentru aplicații de comutare, având capacitatea de a gestiona tensiuni de la 600 V la 1.200 V, curenți de până la 150 A la 100°C și frecvențe de comutare de ordinul zecilor de kHz.
