Obrazek jedynie do celów podglądowych. Produkt może się różnić od przedstawionego na obrazku. Zobacz szczegółową specyfikację techniczną produktu
| Nr artykułu: | 28867 |
|---|---|
| Dostępność | 3 szt na magazynie |
| Min. ilość: | 1 szt |
|---|---|
| Dozwolona ilość zamówienie: | 1 szt (1, 2, 3 ... szt) |
| Opakowanie jednostkowe: | 25 szt (in tube) |
| Kategoria: | FETs, MOSFETs |
| Informacje o produkcie: | Pozycja magazynowa |
| Producent: | VISHAY IR |
Obrazek jedynie do celów podglądowych. Produkt może się różnić od przedstawionego na obrazku. Zobacz szczegółową specyfikację techniczną produktu
| Min. ilość: | 1 szt |
|---|---|
| Dozwolona ilość zamówienie: | 1 szt (1, 2, 3 ... szt) |
| Opakowanie jednostkowe: | 25 szt (in tube) |
| Kategoria: | FETs, MOSFETs |
| Informacje o produkcie: | Pozycja magazynowa |
| Producent: | VISHAY IR |
Ceny są podane bez podatku VAT. Ceny produktów, które nie są przechowywane w naszym magazynie, mogą się różnić od cen wskazanych. Widoczne ceny gwarantujemy tylko przy zakupie towaru dostępnego z naszego magazynu.
Bluetooth (BT) to popularny standard bezprzewodowej transmisji danych krótkiego zasięgu, szczególnie w środowiskach domowych i biurowych. Nowo wydana wersja 6.0, wprowadzona we wrześniu 2024 roku, zawiera kilka istotnych ulepszeń, które znacznie poprawiają komfort użytkowania i otwierają nowe możliwości dla podłączonych urządzeń. W niniejszym artykule omówiono kluczowe funkcje BT 6.0, ze szczególnym uwzględnieniem jego możliwości w zakresie świadczenia zaawansowanych usług opartych na lokalizacji.
Przegląd zmian terminów dostaw i cen produktów w 03/2025.
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT) łączy wydajność tranzystora MOSFET z wysoką mocą tranzystora bipolarnego na jednym chipie. Stanowi zatem najlepszy wybór w przypadku zastosowań wiązanych z przełączaniem, obsługujących napięcia od 600 V do 1200 V, prąd o natężeniu do 150 A w temperaturze 100°C i częstotliwości przełączania w dziesiątkach kHz.
