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Il transistor bipolare a porta isolata (IGBT) combina l’efficienza di un MOSFET con l’elevata potenza di un transistor bipolare in un unico chip. Questo lo rende la scelta migliore per le applicazioni di commutazione, in grado di gestire tensioni da 600 V a 1 200 V, correnti fino a 150 A a 100 °C e frequenze di commutazione dell’ordine delle decine di kHz.
Nell’elettronica moderna esistono ancora i regolatori di tensione lineari. Sono facili da usare e richiedono solo due componenti aggiuntivi: un condensatore di ingresso e un condensatore di uscita.