UWAGA: Produkty firmy ADATA dostarczamy na następujących rynkach: Słowacja, Czechy i Węgry. W tych krajach oferujemy również nasze wsparcie dotyczące wyrobów marki ADATA. Jeśli chcesz uzyskać więcej informacji, skontaktuj się z nami. Nasz zespół udzieli wszelkich niezbędnych informacji i porad.
Komórki pamięci flash z tranzystorami MOSFET z pułapką ładunku elektrycznego
Komórki pamięci flash 3D NAND wykorzystują tranzystor MOSFET z pułapką ładunku elektrycznego. Warstwa ta przechowuje elektrony, które przenikają przez izolator (tunelową warstwę tlenku) w wyniku tunelowania kwantowego zgodnie z teorią Fowlera-Nordheima. Im więcej elektronów zmagazynowanych jest w tej warstwie, tym bardziej napięcie progowe otwarcia tranzystora MOSFET przesuwa się w kierunku wartości dodatnich.
Ponieważ nie zawsze możliwe jest przechowywanie tej samej liczby elektronów w pułapce ładunku, napięcie progowe będzie się zmieniać, a zmienność będzie statystycznie definiowana przez gęstość prawdopodobieństwa.
Rzeczywisty układ pamięci flash BiCS5 zawiera 112 warstw i może mieć do 40 000 „U-stringów” w kierunku x i 25 000 „U-stringów” w kierunku y.
Na czym polega algorytm A+ SLC
Zawartość komórki pamięci flash może być kasowana (brak elektronów w pułapce ładunku) lub programowana (z pewną ilością elektronów w pułapce ładunku). Algorytm A+ SLC przechowuje w pułapce ładunku „mniejszą liczbę elektronów niż maksymalna możliwa”. Pozwala to na użycie krótszego impulsu programującego/kasującego, co zmniejsza uszkodzenia komórek pamięci podczas zapisu/kasowania.
Cechy i specyfikacja kart pamięci microSD A⁺ SLC firmy ADATA:
- zgodność ze specyfikacją SD 6.1
- 100 tys. cykli P/E
- zakres temperatur pracy: od -40°C do 85°C
- zgodność ze standardem V30 (klasa szybkości wideo)
- zgodność ze standardem A2 (Application Performance Class), losowy odczyt IOPS (4K) > 4 000, losowy zapis IOPS (4K) > 2 000
- technologie: Global Wear-Leveling, Bad Block Management, funkcja usuwania pozostałości danych, kod kontroli parzystości o niskiej gęstości (LDPC) ECC i SMART
Odczyt sekwencyjny: 94 MB/s, zapis sekwencyjny: 81 MB/s (testowane przez Crystal Disk Mark 5.1.2)
Wytrzymałość pod obciążeniem zgodnie z JESD219, obciążenie klienta
- 16GB: 920 TB
- 32GB: 1840 TB
- 64GB: 3680 TB
Przyjrzyjmy się teraz bliżej wynikom testów wytrzymałości i przeanalizujmy, jak przekładają się one na wydajność oprogramowania układowego A+ SLC.
W przypadku kart pamięci microSD uzyskana wartość 1,74 TB zapisu jest naprawdę imponująca.
Karta microSD obsługuje system monitorowania dysków pamięci masowej SMART, dzięki czemu za pomocą polecenia CMD56 można odczytać atrybuty SMART. Karty MicroSD są objęte 3-letnią gwarancją.
Wybrane karty pamięci IUD33K microSD firmy ADATA można znaleźć w naszym asortymencie jako pozycje magazynowe, oferowane od ręki do realizacji Twoich projektów. Inne modele są również dostępne na życzenie, oczywiście na korzystnych warunkach.
Twoja opinia pomaga nam tworzyć przydatne treści dla naszych czytelników. Czy powyższe informacje były dla Ciebie przydatne? Jeśli tak, wesprzyj nas wirtualnie.
Jeżeli masz jakiekolwiek pytania lub uwagi, skontaktuj się z nami. Jeszcze raz dziękujemy za poświęcony czas i zaufanie.
Chcesz dowiedzieć się więcej o produktach marki ADATA lub uzyskać pomoc albo poradę techniczną odnośnie wyboru odpowiedniego modelu? Masz pytania lub potrzebujesz wsparcia? Z przyjemnością Ci pomożemy.
Czy spodobały Ci się nasze artykuły? Nie przegap żadnego! Zajmiemy się wszystkim za Ciebie i chętnie sami Ci je dostarczymy.
